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真空等离子体涂覆薄膜沉积设备

简要描述:真空等离子体涂覆薄膜沉积设备Pluto-MC利用等离子体改性时,将试样置于特定的离子处理装置中,通过高能态的等离子轰击试样的表面,将能量传递给试样表层的分子,使试样发生热蚀、交联、降解和氧化反应,并使试样表面发生C-F键和C-C键的断裂,产生大量自由基或引进某些极性基团,从而优化试样表面的性能。

  • 产品型号:PLUTO-MC
  • 厂商性质:生产厂家
  • 更新时间:2024-04-22
  • 访  问  量:847

产品分类

Product classification

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详细介绍

品牌PLUTOVAC

真空等离子体涂覆薄膜沉积设备

常规的沉积涂覆工艺的缺点:


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涂层厚度为毫米量级会影响电子产品的外观及性能。

  • 大量的化学品消耗,污染严重。

  • 毛细效应,导致高密度器件表面无法实现涂层。

  • 样品处理前仍然需要进行复杂的清洗工艺以确保涂层黏附性。

  • 涂覆有方向性,影响整体防护效果。

  • 涂覆会影响样品的射频穿透性及产品的外观。

 

 

设备工作原理:

Pluto-MC利用等离子体改性时,将试样置于特定的离子处理装置中,通过高能态的等离子轰击试样的表面,将能量传递给试样表层的分子,使试样发生

热蚀、交联、降解和氧化反应,并使试样表面发生C-F键和C-C键的断裂,产生大量自由基或引进某些极性基团,从而优化试样表面的性能。

 

等离子体对其改性的主要途径是引发表面接枝,具体方法是用非聚合气体(如Ar,H2,O2,N2和空气等)对样品表面进行等离子体处理,使其表而形成活性自

由基,之后利用活性自由基引发功能性单体,使其在表面进行接枝聚合。利用沉淀反应进行表面改性,这是工业上目前应用最多的方法。



 

真空等离子体涂覆薄膜沉积设备产品特点:

1.13.56MHz射频电源与自动匹配系统,具备优异的稳定性与可重复性。

2.优化的气体馈入与分布设计,提供优秀的处理均匀性。

3.可灵活设置的电极及电极的实时可控,满足功能材料的大面积可控沉积。

4.精准安全的液态源供应系统,满足不同功能材料的快速大面积沉积。

5.PLC提供稳定的过程控制,设备运行的实时参数通过显示屏直观呈现。

6.系统设置多级管理权限,集简易的操作体验与严谨的工艺管控与一体。


PLUTO-MC等离子涂覆镀膜参数:

  • 最大涂覆面积:150mm*150mm

  • 频率:13.56MHz

  • 功率:0-200W

  • 物料容积:10-150ml

  • 温控范围:加热(室温~200℃)保温(室温~200℃)

  • 流量控制:转子流量计

  • 管路:最多4路气体(同时可通入4种物质)

  • 电源电压:交流220V

 

 

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