等离子去胶机区别于传统湿法去胶工艺、兼具绿色环保的优点

　　等离子去胶机是半导体、微电子、光电子、微纳加工等领域的核心精密等离子体处理设备，核心以氧气为主要工作气体，在真空环境中产生高活性的氧等离子体，实现对晶圆、基片、器件表面光刻胶的干法无损伤剥离，是光刻工艺后不可少的配套处理设备。该设备区别于传统湿法去胶工艺，全程无化学试剂参与，无湿法腐蚀、无试剂残留，适配微纳结构器件的高精度加工要求，同时兼具绿色环保、去胶的特点，是微纳制造工艺中实现光刻胶准确去除的关键设备。
 

　　等离子去胶机的核心工作逻辑围绕“真空环境构建-氧等离子体生成-光刻胶氧化分解-气态产物排出”展开，以化学氧化作用为主、轻微物理轰击作用为辅，全程在密闭的真空腔室内完成，所有工艺参数均可准确调控，核心步骤如下：
 

　　真空腔室抽真空：将待去胶的晶圆/基片平稳放置在腔室的晶圆承载台上，关闭腔室后，由真空泵将腔室内抽至工艺所需的真空度，真空环境是等离子体稳定生成的前提，同时可避免空气中的杂质干扰去胶反应、污染器件表面。
 

　　工作气体通入与等离子体生成：向真空腔室内通入定量的高纯氧气(部分场景可根据需求掺入氩气、氮气等辅助气体)，通过射频电源(主流为电容耦合式射频电源)向腔室施加高频电场，将氧气分子电离，形成由氧自由基、氧离子、电子和中性粒子组成的高活性氧等离子体，腔室内会呈现出均匀的淡蓝色等离子体辉光，辉光的均匀性直接决定去胶效果的一致性。
 

　　光刻胶氧化分解：高活性的氧自由基是去胶的核心“氧化剂”，会与光刻胶的有机高分子链发生强烈的链式氧化反应，将复杂的有机光刻胶分子分解为二氧化碳、水、一氧化碳等小分子气态物质；同时，带微弱动能的氧离子会对器件表面产生轻微的物理轰击，一方面让光刻胶表层的氧化分解产物快速脱离器件表面，另一方面让新鲜的氧等离子体与下层未反应的光刻胶充分接触，加速整体去胶反应的进程，保证去胶效率。
 

　　气态产物排出：光刻胶分解产生的气态小分子，以及未参与反应的少量气体，会被真空泵持续抽离真空腔室，经尾气处理系统(除酸、除杂)无害化处理后排出，实现器件表面光刻胶的剥离，同时获得洁净、无残留的器件表面。
 

　　整个去胶过程中，等离子去胶机可通过调控射频功率、气体流量、真空度、去胶时间和腔室温度，准确控制氧化反应的强度和速率，适配不同光刻胶类型和器件工艺的去胶要求，还支持原位去胶，可直接衔接光刻、刻蚀等上下游工艺，减少器件转移过程中的污染。